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Nous sommes fournisseur de cartes mémoire, et nous pourrions of ir divers types de cartes à puce, telles que: CF Extreme III 1GB, 2GB, 4GB, 8GB; Ultra II SD / CF 1GB, 2GB, 4GB, 8GB, Memory Stick Mic M2, MS P Duo, DV RS MMC, SD / MMC, Mini SD, TF, XD, et 3C carte. Bienvenue à nous envoyer votre demande spéciale, et nous allons prêter une haute attention à chaque enquête. Caractéristiques: 1) Flash: pour Hynix Samsung / / Toshiba / Infineon 2) Cont ller: SMI 3) Capacité: 64 Mo - 8GB 4) Délais: 2 jours
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Spécifications: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4-b ches parallèles 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en parallèle): 100mA (max
Caractéristiques: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4 b ches parallèles 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en parallèle): 100mA (max.
Nom du p duit: Memory Stick P Duo 4G Lieu d`origine: Chine Caractéristiques: 1) léger et portable 2) la technologie MagicGate de p tection de copyright à grande capacité 3) Lecture / écritu
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau Une batterie et IC p tecteur 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) 3,6 V
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau de batterie et un double p tecteur IC 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) Tension: 3.7V d`emballage
Caractéristiques: 1) Aluminium Cas2) Niveau Une batterie et IC p tector3) Haute capability4) Basse inter-résistance et de longue veille time5) Tension: 3.6V
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau Une batterie et IC p tecteur 3) capacité de hautes 4) inter faible résistance et long temps de veille 5) Voltage: 3.6V
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau de batterie et un double p tecteur IC 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) Tension: 3.7V d`emballage