Adresse : 3208A,Segem Plaza,Huaqiang North Road, Futian, Shenzhen, Guangdong, China (Mainland)
Téléphone : +86-755-61630095 +83775265 +837753
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Spécifications: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4-b ches parallèles 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en parallèle): 100mA (max.) 4) Consommation électrique (de série ): 65 mA (max.) 5) Min. vitesse d`écriture: 15Mbps sur Memory Stick et Memory Stick permis appareils, o imisé avec 4 b ches d`interface parallèle 6) Dimensions (app x.): 0.79 x 1.22 x 0.06 "(20 x 31 x 1.6mm) 7) Poids (env. .): 0.07 oz (2g) 8) Température de fonctionnement: -13 - 1857deg; F (-10,56 à 85 AC) 9) Dimensions: 31 x 20 x 1.6mm 10) Capacité: 256 Mo - 4 Go
Caractéristiques: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4 b ches parallèles 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en parallèle): 100mA (max.
Nom du p duit: Memory Stick P Duo 4G Lieu d`origine: Chine Caractéristiques: 1) léger et portable 2) la technologie MagicGate de p tection de copyright à grande capacité 3) Lecture / écritu
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau Une batterie et IC p tecteur 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) 3,6 V
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau de batterie et un double p tecteur IC 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) Tension: 3.7V d`emballage
Caractéristiques: 1) Aluminium Cas2) Niveau Une batterie et IC p tector3) Haute capability4) Basse inter-résistance et de longue veille time5) Tension: 3.6V
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau Une batterie et IC p tecteur 3) capacité de hautes 4) inter faible résistance et long temps de veille 5) Voltage: 3.6V
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau de batterie et un double p tecteur IC 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) Tension: 3.7V d`emballage
Caractéristiques: 1) Valise en aluminium 2) Niveau Une batterie et IC p tecteur 3) capacité de hautes 4) la résistance inter-Bas et long temps de veille 5) 3,6 V
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