Bipolar IC Fonderie
|
|
Matériel: 5``wafer de silicium () 5 um, 1.5um technologie DM () Simple / Double-Layer Buried () l`isolement Junction () NPN, LPNP, VPNP, diode Zener () Planarization: résister etch back () BVceo:
|
| |
Power Mosfet Fonderie
|
|
Matériel: 5``Comme plaquette de silicium () 4 um, 1,2 um technologie () couche Epi N-() Bvdss: 30V ~ 900V () RDS () (HV) sur: SP
|
| |
|