3``, 4``, 5``und 6``Silikon-Epitaxial-Wafer ohne Buried Layer () Single-Layer: N / N +, P / P +, P / N +, N / P +, N / N + + () Multi-Layer: N / P / P +, P / P / P +, P / N / N +, N / N / N +, N / N / P +, usw. .. () Epi-Layer Widerstand: 0,01 bis 150 Ohm-cm () Epi-Schichtdicke: 1 bis 200 um () () () ()
4 & 5````Silicon Epitaxial-Wafer mit Buried Layer, für Einzel-und Doppel-begraben-Schicht () Bei N/N/P-, N/PP-, N / N & P / P -, .. etc. () () () () () () ()
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