Adresse: NO.20, KUANG FU RD., HSIN CHU INDUSTRIAL PARK, HU KOU, HSIN CHU 303, TAIWAN, R.O.C.
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Leistungsbereich - 200MHz/233MHz. Double-Data-Rate-Architektur, zwei Datentransfers pro Taktzyklus. Bi-directional Data Strobe (DQS). Differential Clock-Eingänge (CK und CK #). DLL richtet DQ und DQS Übergang mit CK Übergang. Auto & Fähigkeit sich selbst zu stärken (8192 Takte / 64ms). Single 2.6V? 0,1 V Spannungsversorgung. Programmable Read Latenz 2,5 (Uhr). Programmable Burst-Länge (2, 4, 8). Programmable Burst type (Sequential & Interleave). Edge ausgerichtet Datenausgabe, zentriert Dateneingabe. Serial Presence Detect mit EEPROM
240-pin 533MHz DDR Modul CAS-Latenzen: 3, 4, 5 Spannung: 1,8 V, die Senkung des Stromverbrauchs um ca. 50% Great Wärmeableitung Außergewöhnliche Fähigkeiten Speicher Funktionalität und Effizienz
l 200-polig 533MHz DDR Modul l CAS-Latenzen: 3, 4, 5 l Spannung: 1,8 V, die Senkung des Stromverbrauchs um ca. 50% l Great Wärmeableitung Außergewöhnliche Fähigkeiten l Speicher Funktionalität un
. Leistungsbereich - 250MHz (DDR500, CL3). Double-Data-Rate-Architektur, zwei Datentransfers pro Taktzyklus. Bi-directional Data Strobe (DQS). Differential Clock-Eingänge (CK und CK #). DLL richtet D
. Leistungsbereich - 275MHz. Double-Data-Rate-Architektur, zwei Datentransfers pro Taktzyklus. Bi-directional Data Strobe (DQS). Differential Clock-Eingänge (CK und CK #). DLL richtet DQ und DQS Übe
? P Leistungsbereich - 217MHz? P Double-Data-Rate-Architektur, zwei Datentransfers pro Taktzyklus? P Bi-directional Data Strobe (DQS)? P Differential Clock-Eingänge (CK und CK #)? P DLL richtet DQ un
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