High Purity Arsenic 6N, 7N Impureté: max ppm AS-6 Ag 0,002, Pb / mg / 0.01each Ni, Al 0,02, Ca 0.09, S / Sb 0.10each Cr / Se 0,05 chacun Te / Zn 0,04 chacune, AS-07 Ag 0,001, Pb 0,0005 Al / Te

High Purity Arsenic 6N, 7N Impureté: max ppm AS-6 Ag 0,002, Pb / mg / 0.01each Ni, Al 0,02, Ca 0.09, S / Sb 0.10each Cr / Se 0,05 chacun Te / Zn 0,04 chacune, AS-07 Ag 0,001, Pb 0,0005 Al / Te

oxyde d`indium-min In2O3 99,99%, 99.999% min min 5N 99,999% Cu 0,5 ppm, Ca 1.0ppm, Ni 0,5 ppm, 0,5 ppm Cd, Pb 0,5 ppm, 0,5 ppm Fe, Sn 1.0ppm, Ti 1.0ppm Emballé dans un flacon en polyéthylène a

mélamine C3N6H6 min 99,8%, 99,0% min Poudre blanche, humidité: 0,1%, 0,2% respectivemen PH Value :7.5-9 .5 cendres: 0,03%, 0,05% respectivemen Taille :10-20mic n Emballés dans un sac en p

poudre de molybdène / pulvérisation de poudre moly min 99,5%, 99,6% min, 99,9% min Al / ca / cu / p / sb 0,001% max chacun; bi / CDSN / PB 0.0001% max chaque C / na 0,005% max chacun; K / W 0,0

Neut n Transmutation Doping (NTD) N Type Silicon Single Crystal Orientation résistivité Range (I �-cm) 30-80, 80-200, 200-600; 5000-10000 résistivité Tolérance (%) A � 10; � � 15; � � 20; �

Nickle Oxide poudre verte Ni contenu: 71.5 ~ 76.0%, 77.5 ~ 78.8% Parti e Size (FSS S) um 3.0,4.0,6.0,8.0 Pour varistance et tube d`image, les matériaux ma étiques, thermistance 20kgs nette de

Phosphore min 6N 7N 99,9999% As / Al / Mg / Bi / Ca 0.05ppm max chacun, Fe / S / Mn / Cu / Co 0.02ppm max chacun, Ag / Pb 0.01ppm max chacun, Emballé dans Schotte Flacon en verre de 500g, 1000g

Silicon single crystal wafers polissage Diamètre (mm) 30-40; 40-65; 65-80; 80-102 Epaisseur (â � � � m) 300, 350, 400, 450 tolérance Epaisseur (� � � m) 20 Bow (� � � � m) 20, 25, 30, 40 Tap