Adresse : Room 304,Building 5,Saige Science and Technology Park,South Huaqiang Road, Futian, Shenzhen, Guangdong, China (Mainland)
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Compatible avec les suppor Memory Stick de format standard en utilisant l`ada ateur en o ion. MagicGate Comprend une technologie de p tection du d it d`auteur pour les contenus p tégés par copyright, le contenu et données personnelles
Conçu pour supporter les lire et à écrire des vitesses de 80 Mbps en haute vitesse périphériques compatibles rét compatible avec les périphériques qui utilisent de la mémoire Stick PRO Duo
Indice de vitesse App x.20x Vitesse d`écriture 3 Mo / s Read Speed 5 Mo / s Autres fonctionnalités Tension 3,3 Volt Dimensions Largeur 20 mm P fondeur 25 mm Hauteur 1,7 mm
Confoms à CFA Specification. 5V/3.3v Dual Voltage. Capacité: de 4 Mo à 512 MB. Très faible consommation et la batterie de très haute performance PC Tree carte d`interface (mémoire, IO, ATA)
Très faible consommation et la batterie de très haute performance PC Tree carte d`interface (mémoire, IO, ATA) et True IDE Mode. Coalitions avec Compact Flash Ada er (en o ion) pour agir comme un
5 ans de garantie des fabrican et de 14 jours garantie de remboursemen Spécifications de stockage: la carte 512mb a assez d`espace pour stocker: Jusqu`à 6000 [640x480] fichiers photo App x. 1
Capacités de 256MB, 512MB, 1GB, 2GB Dimensions 94 "x 1.26" x .06 "(24 mm x 32 mm x 1,4 mm) taux de transfert jusqu`à 11MB/Sec read rate Jusqu`à 7MB/sec écrire taux Température de fonctionneme
Chaque carte est fournie avec son p pre ada ateur données rapide taux de transfert jusqu`à 10 Mo / Card capacité jusqu`à 512 Facteur de forme: 21.5mm x 20mm x 1.4mm Backward compatible avec le
Nous fournissons une gamme de carte mémoire, le prix est concurrentiel, la qualité est excellente. Si vous avez besoin, s`il vous plaît contactez-moi immédiatemen Les informations de Kingston C
Plug-and-Play compatible mode Autosleep pour préserver la vie de la batterie système 3,3 V et 5V pour bitension Type: Compact Flash Taille de la mémoire: 256 Mo Vitesse de réécriture: 33x