Photovoltaik-Anlagen (Photovoltaic Equipment)

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Industrieausrüstung / Energieausrüstung / Wiederverwendende und Sonnenenergie /

Photovoltaic Equipment (Photovoltaik-Anlagen)

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Informationen über den produzenten

Firma:
Beijing Yanjing Electronics Co., Ltd.

Adresse:
No.23 Huangsi Avenue,Deshengmen Outside, Xicheng, Beijing, China (Mainland)

Telefon:
+86-10-58237188 +58237168 +582371

.

1. Ofenraum ID: Φ300mm Temperaturbereich: 400 ~ 1100oC Länge der Konstante: â�� 800mm? 1oc (801 ~ 1100oC â�� 800mm? 1.5oC (400 ~ 800oC) Temperaturstabilität Ort: â��? 1oC/4h Preis der Temperatur: bis 15oC/min. 5oC/min unten. Feed Form der Wafer: 20 ~ 500mm/min auf dem Schiff mit Auto-SiC-Ruder; gelegen Genauigkeit: â��? 10mm Tragkraft: 10kg â�� Gesamtleistung: â�� 100 KVA (3 Tuben) Insgesamt Dimension: 3200 (L) x 500 (B) x 300 (H) mm Gesamtgewicht: 1500 kg 2. Silizium-Kristall Größe: 6 - 8inchx 500mm bis Ofenraum ID: 800mm Heizung : Graphite resistent Seed Rotation: 2-50rpm Seed Lift Preis: 0.2-8mm/min Tiegel: 1-30rpm Crucible Lift Preis: 0.02-1mm/min 3. Maximaler Schnittdurchmesser von mono-kristallinen Silizium: Φ230mm Mindestdicke von mono-kristallinen Silizium: 1mm Größe der Säge Gürtel: 4100x38x0.7mm Vorschubgeschwindigkeit des Schneidens: 0-20mm/min Control-Modus: Control von Computer Bedienung mit Touchscreen Maximale Schlitzbreite der Arbeit Stück: â�� 0,8 mm Maximale Schnittlänge von Werkstück: â�� 2000mm Gesamtleistung: 6KW Gewicht: 2000kg 4. Umdrehungsgeschwindigkeit der Wire Guide: 1300rpm max. Lebensdauer von Draht: Das eine Mal Drahtdurchmesser: Φ0 mm ,08-Φ0.18mm Drahtführung Liquidation Kapazität: 30kg? Spule Wire Spannung: 35.0N-40.0N (Schritt Einheit: 0,1 N) Wire-Geschwindigkeit: 500m/min. max. hin-und her mal aus Draht : 15 mal / min. (Max.) Vorschub: 0-2mm/min. Arbeitstisch Geschwindigkeit: 300mm/min. Arbeitstisch horizontalen Drehwinkel: 0 -? 5 für Korrekturen an den Arbeitstisch) Cut-In Kontrolle der Arbeitstisch : via Kabel Abweichung Sensor Maschinengewicht: ca. 6.000 kg 5. Wafer-Größe: 150mm Deposition Film: Si3N4, Poly-Si, SiO2, PSG Deposition Film Thickness: 1000 ~ 6000? Prozess-Temperatur: 350 ~ 1100oC Reichweite und G

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