Adresse: Room 304,Building 5,Saige Science and Technology Park,South Huaqiang Road, Futian, Shenzhen, Guangdong, China (Mainland)
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184-Pin Dual In-line Memory Module (DIMM) Schnelle Datenübertragung Rayes: PC 3200 CAS Latency 3 Verwendet 400 MT / S DDR-SDRAM-Komponenten 512 (64 meg x 64) Vdd = 2,6 V = VDDQ Vddspd = 2,3 V bis 3,6 2.6vi / o (SSTL_2 kompatibel) Befehle Eintrag auf jeder positiven ck Rand DQS-Rand mit Daten für die Ausrichtung liest; -Zentrale mit Daten für die lighed schreibt Intern, Pipeline-(Double Data Rate ddr)-Architektur; Zwei Daten-Zugriffen pro Taktzyklus Bidirectional Data Strobe (DSQ) gesendeten und empfangenen Daten mit - IE Source-synchronen Daten cature Differential Takteingänge ck ad ck # Vier Intervall Gerät Banken für Parallelbetrieb Programmable Burst Länge: 2,4 oder 8 Auto Precharge otion Auto erneuern und sich selbst erneuern Modi 7.815us maximalen durchschnittlichen Zeitraum Refresh-Intervall Serial Presence Detect (SPD) mit eeprom Programmable Read CAS Latency Gold Rand Kontakte
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